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2011.07.30
D-0042. 差分解析とストレス解析のご紹介 — FN
◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇ 差分解析とストレス解析のご紹介 発行:エスオーエル株式会社 https://www.sol-j.co.jp/ 連載「知って得する干渉計測定技術!」 2011年7月30日号 VOL.042 平素は格別のお引き立てを賜り、厚く御礼申し上げます。 干渉計による精密測定やアプリケーション開発情報などをテーマに、 無料にてメールマガジンを配信いたしております。 ◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇ 皆様、こんにちは! (( メルマガ登録会員の皆さまは、エスオーエル名物「○○○ごと」をご覧頂けます! )) 今回のメルマガは、弊社の平面度測定機『Flat Master』の 解析機能の【差分解析】と【ストレス解析】についてご紹介したい と思います。 ** 差分解析について ** 加工前後のサンプルの形状から、どの部分がより変化しているかを 見る事ができます。加工後及び加工前の平面度"Flatness(SORI)" 測定データの位置を一致させてデータの差し引きを行います。 ピクセル単位での全データから変化量の最高点と最低点の絶対値の 和を『変形量TIR』として解析します。 この時、気を付けなければならないのが、基準平面です。測定する 側のサンプル面を加工前後で統一しないと、差分解析しても意味が 無くなってしまいます! ** ストレス解析について ** 弊社の平面度測定機は、ウェーハで使用されるSiやGaAsなどの全て の脆性材質で成膜プロセスによるストレスを平面度のデータをもと にストレス測定・解析する事が可能です。 ◎ 測定原理 ◎ 1) 成膜プロセス前後のウェーハ全面の平面度"Flatness(SORI)" 測定を行い、SAGを求めます。 2) 成膜プロセス前後の各SAG値の差を求め、次式により 応力(ストレス)を算出します。 Stress = E × SagD × Tw^2 /{ 3 × Tf × (1-ν) × L^2 } Stress :応力(dynes / cm^2) SagD :SAGの差(μm) Tw :ウェーハの厚み(μm) Tf :膜厚(μm) L :waferの半径(μm) E :ヤング率(dynes/cm^2) ν :ポアソン比 となります。 SAGとは平面度測定値に球面の式を最小二乗法にて当てはめ、球面の Centerからその端面までの距離を言います。 ストレス解析は、 ① 上記の項目が明確である事。 ② 均一に成膜されている事。 ③ SORIが全面で見れている事。 この3項目が条件となります。 成膜前後の差分解析やストレス解析に興味が御座いましたら、 是非弊社までご連絡下さい! サンプル測定やデモ測定もお引き受けしております。ではまた来月!! -- F.N