FlatMaster MSP-Wafer
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製品情報 Product Information
FlatMaster MSP-Wafer ウェーハ用平面度・平行度・厚み測定機（半自動機）
対応サイズ：2”～12”
測定項目：
吸着測定：TTV, LTV など
非吸着測定：SORI, BOW, WARP など
厚み、ストレス解析、表面うねりなど
対象ウェーハ：
Si, サファイア, SiC, GaN, 酸化ガリウム, LT, LN,
GaAs, InP, 水晶, ガラス, セラミック など
保持方法：基板水平保持
特徴
プロセス前後の厚みの比較に
TTVやSORIなどの平面度測定に加え、厚み測定を0.1um（1σ）で測定が可能。
精度0.1μm以下！
NISTトレーサブル
繰返し精度(Repeatability)だけでなく、校正原器に対する精度(Accuracy)も保証。
NIST規格に準拠した校正原器も標準で付属。
交換不要の
ユニバーサルチャック採用
チャックはユニバーサルチャックを採用しているため、ウェーハのサイズや吸着/非吸着を切替えても一つのチャックで測定が可能。
仕様
| 機種名 | FlatMaster MSP150-Wafer |
FlatMaster MSP300-Wafer |
|
|---|---|---|---|
| 測定原理 | 垂直入射干渉計 | ||
| ウェーハサイズ | 2"～6" | 2"～12" | |
| 測定波長 | 830nm AlGaAs半導体レーザー | ||
| 測定データ数 | 最大約78万点 | 最大約400万点 | |
| 測定分解能 | 0.001μm | ||
| 測定精度(Accuracy) | 平面度 | 0.060μm | |
| 平行度 | 0.100μm | ||
| 厚み | 0.250μm | ||
| 繰り返し精度 (Repeatability) (1σ) |
平面度 | 0.020μm | |
| 平行度 | 0.025μm | ||
| 厚み | 0.100μm | ||
| 測定時間 | サンプルセットから解析まで約60秒 | ||